اتصالات گرافنی درICها استفاده می‌شود

با فناوری‌های جدید، اتصالات مبتنی بر گرافن می‌تواند چگالی آی‌سی‌های دیجیتال و آنالوگ را بهبود ببخشد. شرکت دستینیشن تودی فرآیندی در اختیار دارد که با استفاده از آن می‌توان اتصالات گرافنی را برای آی‌سی‌ها به کار برد.

به گزارش الکترونیک دیزاین، فیلم‌های دوبعدی گرافنی با رسانایی بالایی که دارند می‌توانند به تولید دستگاه‌های کوچک‌تر، سریع‌تر و خنک‌تر کمک کنند و تجهیزاتی با کارایی بالاتر از دستگاه‌هایی که از فناوری‌های مس استفاده می‌کنند، را ارائه دهند. 

این روش سازگار با فرآیند‌های ساخت IC موجود بوده، می‌تواند چندین لایه گرافن دوبعدی را با استفاده از مراحل فرآیند کمتری رسوب دهد.

این فرآیند که با نام CoolC GT ۳۰۰ شناخته می‌شود، تشکیل لایه‌های چندگانه از لایه‌های گرافن ۲ بعدی را روی محصولات نیمه‌رسانا امکان‌پذیر می‌سازد. این فناوری پتانسیل کاهش قابل توجه اتلاف انرژی را به دنبال دارد.

CoolC GT ۳۰۰ می‌تواند شبکه‌های گرافن دوبعدی را روی بستر‌های دی الکتریک در مقیاس ویفر در دما‌های بسیار پایین‌تر از بودجه حرارتی برای ساخت دستگاه‌های استاندارد CMOS، و همچنین محصولات گالیوم-نیترید (GaN) و سیلیکون-کاربید (SiC) تشکیل دهد.

اولین گام این است که یک لایه فلزی قربانی را مستقیم روی یک ویفر استاندارد CMOS قرار دهید و سپس کربن را در آن لایه پخش کنید تا یک ماتریس گرافن دو بعدی تشکیل شود.

این فرآیند را می‌توان برای تشکیل چندین لایه گرافن، با استفاده از مواد ناخالص بین لایه‌ها (با استفاده از فرآیند انتشار حرارتی در دمای پایین (۲۵۰ تا ۳۵۰ درجه سانتی‌گراد)) تکرار کرد تا چگالی حامل را افزایش دهد.

علاوه بر تولید فیلم‌هایی با ویژگی‌های الکتریکی و مکانیکی بسیار سازگار، CoolC GT ۳۰۰ از مشکلات تاب‌خوردگی و ترک‌خوردگی که فرآیند‌های اتصال گرافن قبلی را آزار می‌داد، جلوگیری می‌کند.

تیم دستینیشن تودی می‌گوید که این فناوری که با موفقیت روی ویفر‌های ۳۰۰ میلی‌متری استفاده شده است، می‌تواند تعداد مراحل فرآیند را کاهش دهد و تا ۱۲ میلیون دلار تجهیزات فرآیندی را در هر لایه فرآیند در برنامه‌های تولید CMOS حذف کند. این شرکت همچنین خاطرنشان کرد که فناوری CoolC GT ۳۰۰ می‌تواند در فرآیند‌های GaN و SiC اعمال شود.

انتهای پیام/